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證券時(shí)報(bào)網(wǎng)訊，東興證券研報(bào)指出，當(dāng)前硬件創(chuàng)新周期疊加AI浪潮，電子行業(yè)迎來(lái)新的發(fā)展階段。積極關(guān)注行業(yè)層面邊際變化，重視智能硬件端創(chuàng)新，看好三個(gè)方向：1）AI眼鏡：AI眼鏡是具有便攜和交互性的可穿戴設(shè)備，AI端側(cè)最佳載體之一。目前AI智能眼鏡發(fā)展仍處于探索期，多家公司布局探索AI智能眼鏡方案，包括傳統(tǒng)手機(jī)廠商、互聯(lián)網(wǎng)大廠以及初創(chuàng)公司等，2024年下半年有相關(guān)AI智能眼鏡新品亮相發(fā)布。建議關(guān)注：恒玄科技、瑞芯微等。2）高速銅連接：高速銅纜DAC具有成本低且能最大程度降低功耗的優(yōu)勢(shì)，在服務(wù)器內(nèi)部的短距離傳輸場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)高速平行互聯(lián)。英偉達(dá)作為全球AI產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)航者，GB200NVL72基于Blackwell的架構(gòu)，在性能上具有巨大的升級(jí)，采用銅纜連接方式作為數(shù)據(jù)中心柜內(nèi)連接方式，將助力高速銅互聯(lián)將進(jìn)入快速發(fā)展時(shí)期。建議關(guān)注：沃爾核材、神宇股份等。3）HBM：AI大模型的興起催生了海量算力需求，而數(shù)據(jù)處理量和傳輸速率大幅提升使得AI服務(wù)器對(duì)芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬提出更高要求，HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。TrendForce集邦咨詢預(yù)估2025年HBM將貢獻(xiàn)10%的DRAM總產(chǎn)出，較2024年增長(zhǎng)一倍。由于HBM平均單價(jià)高，估計(jì)對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的貢獻(xiàn)度有望突破30%。預(yù)計(jì)到2029年，HBM市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至79.5億美元。建議關(guān)注：通富微電、長(zhǎng)電科技等。

校對(duì)：蘇煥文